Artículos

Effect of Post-annealing Treatment on the Structure and Luminescence Properties of AIN:Tb 3+ Thin Films Prepared by Radio Frequency Magnetron Sputtering
Mater Sci. Forum 890, 299-302 (2017) Mater Sci. Forum 890, 299-302  
Año de publicación: 2017

Effect of thermal annealing treatments on the optical activation of Tb3+ doped amorphous SiC:H thin films
J. Phys. D: Appl. Phys. 49 (2016) 375104
Año de publicación: 2016

Interface passivation of liquid-phase crystallized silicon on glass studied with high-frequency capacitance-voltage measurements
Phys. Status Solidi A 213, No. 7, 1697–1704 (2016), DOI 10.1002/pssa.201532957
Año de publicación: 2016

The Urbach focus and optical properties of amorphous hydrogenated SiC thin film
J. Phys. D: Appl. Phys. 49 (2016) 195102
Año de publicación: 2016

Thermal activation and temperature dependent PL and CL of Tb doped amorphous AlN and SiN thin films
Phys. Status. Solidi C (2015) 12 (8) pp. 1183-1186
Año de publicación: 2015

Concentration Quenching of Tb3+ Doped SiC:H and AlN Thin Films in Photoluminescence and Cathodoluminescence Measurements
Mater. Res. Soc. Proc. Vol. 1571
Año de publicación: 2015

Optical and Passivation Characterization of Amorphous and Poly-Crystalline AlN Layers
Proceedings of the 31st European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 969 - 971
Año de publicación: 2015

On the Origin of the Urbach Rule and the Urbach Focus
Mater. Res. Soc. Proc. Vol. 1536
Año de publicación: 2013

Concentration quenching and thermal activation of the luminescence from terbium-doped a-SiC:H and c-AlN thin films
Phys. Stat. Sold. C 10, 68
Año de publicación: 2013

Concentration quenching of the green photoluminescence from terbium ions embedded in AlN and SiC matrices
J. Lumin. 137, 73
Año de publicación: 2013