Artículos

The Urbach focus and optical properties of amorphous hydrogenated SiC thin film
J. Phys. D: Appl. Phys. 49 (2016) 195102
Año de publicación: 2016

Thermal activation and temperature dependent PL and CL of Tb doped amorphous AlN and SiN thin films
Phys. Status. Solidi C (2015) 12 (8) pp. 1183-1186
Año de publicación: 2015

Concentration Quenching of Tb3+ Doped SiC:H and AlN Thin Films in Photoluminescence and Cathodoluminescence Measurements
Mater. Res. Soc. Proc. Vol. 1571
Año de publicación: 2015

Optical and Passivation Characterization of Amorphous and Poly-Crystalline AlN Layers
Proceedings of the 31st European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 969 - 971
Año de publicación: 2015

On the Origin of the Urbach Rule and the Urbach Focus
Mater. Res. Soc. Proc. Vol. 1536
Año de publicación: 2013

Concentration quenching and thermal activation of the luminescence from terbium-doped a-SiC:H and c-AlN thin films
Phys. Stat. Sold. C 10, 68
Año de publicación: 2013

Concentration quenching of the green photoluminescence from terbium ions embedded in AlN and SiC matrices
J. Lumin. 137, 73
Año de publicación: 2013

Determination of the optical bandgap and disorder energies of thin amorphous SiC and AlN films produced by radio frequency magnetron sputtering
J. Phys.: Conf. Ser. 274, 01211
Año de publicación: 2011

Emission pattern of an aluminium nitride target for radio frequency magnetron sputtering
J. Phys.: Conf. Ser. 274, 012116
Año de publicación: 2011

Bandgap engineering of the amorphous wide bandgap semiconductor (SiC)1−x(AlN)x doped with terbium and its optical emission properties
ater. Science Eng. B 174, 114
Año de publicación: 2010